10.3969/j.issn.1004-3365.2000.01.010
MOS器件90Sr-90Y源电离辐射效应研究
介绍了利用90Sr-90Y源辐照装置对MOSFET进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验,着重研究了MOSFET的辐照敏感参数随辐照剂量的变化规律,并对实验结果进行了分析讨论.
电离辐射效应、MOSFET、抗辐射加固、90Sr-90Y辐射源、总剂量辐射
30
TN386.1(半导体技术)
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
31-34
10.3969/j.issn.1004-3365.2000.01.010
电离辐射效应、MOSFET、抗辐射加固、90Sr-90Y辐射源、总剂量辐射
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TN386.1(半导体技术)
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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