10.3969/j.issn.1004-3365.2000.01.003
用于MFIS的铁电薄膜刻蚀技术研究
制备MFIS存储器的铁电薄膜一般选用抗疲劳特性好的SBT铁电薄膜,介质层一般选用ZrO2作为阻挡层,以克服电荷注入效应,改进器件的性能.在MFIS的研制中,SBT薄膜和ZrO2薄膜的刻蚀是关键工艺之一.研究了用SF6和Ar作为反应气体刻蚀SBT及ZrO2薄膜的方法,对不同条件下SBT和ZrO2的刻蚀速率进行了实验研究和讨论、分析,得到了刻蚀SBT及ZrO2的优化工艺条件.
铁电存储器、反应离子刻蚀、铁电薄膜、金属/铁电/介质/半导体器件
30
TN405.98+3(微电子学、集成电路(IC))
中国科学院资助项目69876008;国家科技攻关项目;AM基金
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
8-10