10.3969/j.issn.1004-3365.2000.01.002
基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/Si HBT基区渡越时间的影响
由于发射结(EB结)价带存在着能量差ΔEv,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给HBT设计带来了更大的自由度.为减小基区电阻和防止低温载流子冻析,可增加基区浓度.但基区重掺杂导致禁带变窄,禁带变窄的非均匀性产生的阻滞电场使基区渡越时间增加,退化了频率特性,特别是在低温下更为严重.
异质结晶体管、掺杂、基区渡越时间、半导体物理、硅-锗器件
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TN322+.8(半导体技术)
北京市自然科学基金;北京市科技新星计划项目;国家重点实验室基金
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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