10.3969/j.issn.1004-3365.1999.06.016
CMOS自对准硅化钛工艺研究
形成硅化物的技术有多种:蒸发、溅射和化学气相淀积.文中对单靶溅射钛膜进行了研究.采用两步快速热退火工艺形成TiSi2,通过实验,得出了CMOS自对准硅化钛的工艺条件.
CMOS、硅化钛、自对准工艺、快速热退火
29
TN386;TN405(半导体技术)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
455-458
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10.3969/j.issn.1004-3365.1999.06.016
CMOS、硅化钛、自对准工艺、快速热退火
29
TN386;TN405(半导体技术)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
455-458
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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