10.3969/j.issn.1004-3365.1999.06.015
双极器件的快中子辐照损伤
从双极器件在快中子脉冲辐射下Frenkel缺陷的产生及其退火机理出发,推导出器件β在中子脉冲作用下随AF(t)和电荷浓度变化的数学模型.同时,给出器件中子脉冲作用下退火规律研究的实验方法及实验结果.
双极硅器件、脉冲中子辐射、退火机理
29
TN303;O571.43+6(半导体技术)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
452-454
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10.3969/j.issn.1004-3365.1999.06.015
双极硅器件、脉冲中子辐射、退火机理
29
TN303;O571.43+6(半导体技术)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
452-454
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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