10.3969/j.issn.1004-3365.1999.06.014
中子辐射下双极IC放大性能的变化
文中从单个晶体管不同工作电流下中子辐射时损伤常数的预估着手,推出一套适用于计算机模拟的数学模型、实验方法,由辐射下的瞬时电流即时地计算出相应的损伤常数,计算出晶体管的β降低值,以此来预知双极IC在中子辐射时的性能变化.
中子辐射、双极电路、损伤常数、瞬时电流、ICCAD
29
O571.42+1(原子核物理学、高能物理学)
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
449-451