10.3969/j.issn.1004-3365.1999.06.005
B+、As+离子注入工艺模拟模型的比较
对离子注入分布杂质浓度模拟的不同模型进行了简短的回顾,介绍了在SupremⅣ中采用的双Pearson分布模型.通过对B+及As+在不同剂量和能量下对硅中的注入,采用SIMS进行浓度分布测试,对双Pearson模型作了评估.
离子注入、集成电路、工艺模拟、二次离子质谱
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TN405(微电子学、集成电路（IC）)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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