10.3969/j.issn.1004-3365.1999.06.001
纳米硅薄膜与纳米电子学
纳米半导体硅(nc-Si:H)薄膜是利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的,制备条件可以很好地进行调节控制.纳米硅薄膜由两种组元:纳米尺度晶粒组元和晶粒间的界面组元,即晶态相和晶界相组成.纳米半导体硅薄膜对发展半导体器件,例如量子功能器件和薄膜敏感器件等,很有价值.
半导体材料、纳米材料、纳米电子学、纳米硅薄膜、量子功能器件
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TN304.055;O76(半导体技术)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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385-389
