10.3969/j.issn.1004-3365.1999.05.016
高压高速SOI-LIGBT的研制
采用数值模拟分析了双降场层SOI-LIGBT击穿电压与SOI层厚度和隔离SiO2层厚度的关系,分析了阳极短路面积比对器件正向压降、关断时间和正向转折电压的影响,并利用硅直接键合(SDB)技术研制出580V的阳极短路SOI-LIGBT,关断时间为250ns.
横向绝缘栅双极晶体管、智能功率集成电路、绝缘体上硅、硅直接键合
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TN321+.5;TN322+.8(半导体技术)
国家军事预研基金;国防基金
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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