10.3969/j.issn.1004-3365.1999.05.013
硅-硅直接键合的亲水处理及界面电特性
研究了基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果,提出了一种独特的三步亲水处理法.这一方法既能顺利完成室温预键合,又能减少界面上非定形大尺寸SiOx体的生成,避免了界面对电输运的势垒障碍,获得了理想的键合界面.
半导体工艺、表面处理、硅片直接键合、亲水处理、界面特性
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TN305.2(半导体技术)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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