10.3969/j.issn.1004-3365.1999.05.007
BiCMOS结构中阱特性的研究
叙述了以双极型工艺为主体的BiCMOS结构中p阱电阻比值非线性的特性及其与芯片合格率的关系.在p阱下面采用埋层,抑制或消除了BiCMOS中p阱结构的寄生效应,从而提高了芯片合格率.
半导体工艺、BiCMOS、阱电阻、埋层
29
TN305.95;TN433(半导体技术)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
331-335
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10.3969/j.issn.1004-3365.1999.05.007
半导体工艺、BiCMOS、阱电阻、埋层
29
TN305.95;TN433(半导体技术)
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
331-335
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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