10.3969/j.issn.1004-3365.1999.05.002
重掺杂P型Si1-xGex层中少数载流子浓度的低温特性
考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应,建立起少数载流子室温和低温模型,并进行了定量的计算.研究发现,p-Si1-xGex中的少子浓度(电子)随x的增加而增加.在重掺杂条件下,常温时,少子浓度随杂质浓度的上升而下降;而低温时,少子浓度却随杂质浓度的上升而上升.
半导体材料、SiGe合金、低温特性、掺杂
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TN304.2(半导体技术)
北京市自然科学基金4982004;北京市科技新星计划项目952871900;国家重点实验室基金99030401
2004-02-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共3页
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