10.3969/j.issn.1004-3365.1999.02.016
低压/低功耗VLSI中器件结构的设计
随着个人数据处理和通信技术的发展,设备的小型化推动着VLSI向低压、低功耗的工作方式转化.但硅VLSI电路在室温(T=300 K)下工作,会受到各种因素的限制,如静态漏电流、穿通、速度等.文章从MOS器件的物理角度,阐述低压、低功耗MOS集成电路中器件结构的设计,并给出了器件的模拟特性.
低压/低功耗IC、VLSI、SOI、MOS器件
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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