10.3969/j.issn.1004-3365.1999.02.012
一种高电源抑制比CMOS能隙基准电压源
介绍了一个采用0.6 μm数字CMOS工艺制作的能隙基准电压源电路,该电路具有小的硅片面积(0.06 mm2)、高电源抑制比和较低温度系数.在该电路应用于高精度电路的偏置系统时,还可增加改善输出偏置电流温度系数的电路.
能隙基准电压源、电源抑制比、温度系数
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TN432;TN47(微电子学、集成电路(IC))
2004-02-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
128-131