10.7688/j.issn.1000-1646.2013.04.06
外磁场中单壁碳纳米管π电子能隙的理论计算
为了得到单壁碳纳米管在外磁场作用下的电子结构规律,从紧束缚模型出发,利用量子理论和固体理论计算了在外磁场作用下单壁碳纳米管(SWNTs)中π电子的能带表达式.在此基础上,利用SWNTs的周期性边界条件和晶体中的布洛赫定理,得到了扶手椅型SWNTs中π电子的能带表达式,进而推导了外磁场作用下能隙宽度的表达式,从而得知能隙是磁通量φ的周期函数.由金属型SWNTs的判据|m-n| =3J(J =0,1,2,3,…)可知,扶手椅型SWNTs(m=n)均为金属型,但由于其在外磁场的作用下可能产生能隙,由此证明了扶手椅型SWNTs可以由金属型转变为半导体型的规律.
磁场、单壁碳纳米管、紧束缚模型、π电子、能带、能隙、金属型、半导体型
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TB303(工程材料学)
辽宁省教育厅基金资助项目LR201030
2013-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
390-394
