10.3969/j.issn.1004-9398.2019.01.004
量子点CuInS2晶体的近红外光学性质研究
利用密度泛函理论,对CuInS2量子点晶体进行光学性质预测,得到CuInS2晶体的理想禁带宽度为1.08 eV,属于直接带隙半导体.同时计算了材料介电常数,折射系数,吸收系数及光损耗系数谱图.结合图谱分析,明确了CuInS2量子点晶体位于波长范围750～1 500 nm表现出很好的透光性能.量子点CuInS2晶体可能成为一种潜在的近红外成像示踪材料.本文拟使用CuInS2量子点晶体标记纳米粒子,实现示踪的效果.
量子点、CuInS2、光学性质
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O4-33
成都中医药大学科技基金ZRQN1547支持
2019-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
15-19,82
