10.3969/j.issn.1004-9398.2018.02.008
提高等离子体密度对不同放电条件下逃逸电子行为对比分析
利用硬X射线诊断系统,对比分析了提高等离子体密度对欧姆放电和低杂波电流驱动放电下逃逸电子行为的影响.实验结果表明:在欧姆放电平顶阶段提高等离子体密度能有效抑制强逃逸分布,然而在低杂波关断时提高等离子体密度并没有抑制电子逃逸,反而出现逃逸电子雪崩增长.根据不同逃逸产生机制对该现象进行了对比分析.
逃逸电子、等离子体密度、欧姆放电、低杂波电流驱动
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O53(等离子体物理学)
四川省教育厅科研重点项目15ZA0321;四川省教育厅重点科研项目18ZA0417
2018-06-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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