10.3969/j.issn.1004-9398.2005.01.007
层间反铁磁耦合磁性多层膜结构的统计模型
以s=1/2的层状Ising模型为基础,建立一个描述层间反铁磁耦合的有限层磁性薄膜的统计模型.应用变分累积展开(VCE)方法的一阶近似,导出了系统自发磁化强度、序参量、临界温度、磁化率的表达式,及其随层数L的变化关系.讨论了有外场存在时,系统对外磁场的响应,并且作了数值计算.
Ising模型、多层膜、自发磁化
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O414.21(理论物理学)
2005-03-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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