10.14132/j.cnki.1673-5439.2015.05.002
SOI横向功率器件横向耐压技术的研究进展
SOI横向功率器件是SOI功率集成电路的核心元件.文中对近年来SOI横向功率器件的横向耐压技术进行了归类和综述,讨论了RESURF技术、场板技术、U形漂移区技术、横向超级结技术和漂移区电荷密度线性化技术等5种常见技术及其衍生技术的工作机理、性能指标和制造方法,从耐压能力、BFOM优值和工艺复杂度等3个方面对不同耐压技术的优点和缺点进行了比较.结果表明各种新技术的采用可以有效缓和击穿电压和导通电阻的矛盾关系,但同时也带来了工艺复杂度的增加.因此,如何在性能和成本之间取得折中仍然是SOI横向功率器件设计需要关注的焦点.
绝缘体上硅、横向功率器件、击穿电压、导通电阻
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TN386(半导体技术)
国家重点实验室开放基金KFJJ201403;教育部博士点基金20133223110003;江苏省自然科学基金BK20141431;工业支撑计划BE2013130
2015-12-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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