10.3969/j.issn.1673-5439.2013.05.004
基于非对称掺杂策略的GNRFET电学特性研究
基于量子力学非平衡Green函数理论框架,在开放边界条件下,通过自洽求解三维Poisson和Schrodinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的石墨烯场效应管的输运模型.并利用该模型分析计算采用非对称HALO-LDD掺杂策略的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)的电学特性.通过与采用其他掺杂策略的GNRFET的输出特性、转移特性、开关电流比、亚阈值摆幅、阈值电压漂移等电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更低的泄漏电流、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移,表明采用非对称HALO-LDD掺杂策略的GNRFET具有更好的栅控能力,能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应.
石墨烯纳米条带场效应管、非对称HALO-LDD掺杂、非平衡格林函数、掺杂策略、DIBL效应
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TN386(半导体技术)
国家自然科学基金60806027;江苏省高校自然科学基金10KJD510005,10KJD510006;南京邮电大学科研基金NY211094
2013-11-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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