10.3969/j.issn.1673-5439.2012.05.026
Fe掺杂GaN稀磁半导体材料研究
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长出不同Fe掺杂浓度的GaN薄膜,并对其微观结构、表面形貌以及磁学性能进行了研究.对于低掺杂浓度的Fe掺杂GaN样品,X射线衍射和高分辨透射电镜均没有发现其他相物质存在；对于高浓度掺杂的样品,X射线衍射探测到了Fe单质和Fe3N存在.通过高分辨透射电镜图像,观察到了晶格中的Fe3N纳米团簇,并且发现团簇以Fe3N[0002]晶轴平行于GaN[0002]晶轴的方式存在于GaN晶格之中.同时,随着掺杂浓度的增高,薄膜表面粗糙度增加.磁学测量表明,不同掺杂浓度的样品都显现出明显的室温铁磁性.
金属有机物化学气相沉积、稀磁半导体、团簇
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O472.5;O471.4(半导体物理学)
国家自然科学基金61106009;江苏省高校自然科学基金10KJD510005,10KJD510006,10KJB510015;南京邮电大学引进人才科研启动基金NY210076,NY209009,NY210075
2013-01-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
153-158
