10.3969/j.issn.1673-5439.2010.04.013
STI应力对90nm SONOS存储器的影响分析
随着CMOS工艺按比例缩小到90 nm以下,浅沟槽隔离(STI)引起的机械应力对MOSFET器件性能的影响越来越严重.通过实验和TCAD仿真研究了STI应力对一种SONOS结构的90 nm非易失存储器的影响.实验和仿真结果表明由于受到STI压应力的作用,靠近STI的SONOS边角存储单元和远离STI的中心存储单元存在阈值电压分布不一致的问题.为了减小STI应力对边角存储单元的影响,分别采用STI recess和STI Si3N4 liner两种工艺去减缓STI产生的压应力.TCAD仿真结果表明采用STI Si3N4 liner工艺后边角存储单元受到的STI压应力比原有的基本工艺降低了20%以上.
浅沟道隔离、机械应力、非易失存储器、氮化硅衬垫
30
TP333.5(计算技术、计算机技术)
2010-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
80-83,89
