10.3969/j.issn.1673-5439.2008.03.005
SOI RESURF器件高压互连线效应的二维解析模型
高压互连线效应是影响集成功率器件性能的重要因素之一.首先提出一个高压互连线效应对SOI横向高压器件的漂移区电势和电场分布影响的二维解析模型,进而得到漂移区在不完全耗尽和完全耗尽情况下的器件击穿电压解析表达式,而后利用所建立的模型,研究器件结构参数对击穿特性的影响规律,定量揭示在高压互连线作用下器件击穿多生在阳极PN结的物理本质,指出通过优化场氧厚度可以弱化高压互连线对器件击穿的负面影响,并给出用于指导设计的理论公式.模型的正确性通过半导体二维器件仿真软件MEDICI进行了验证.
SOI高压互连线、电场分布、击穿电压
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TN386(半导体技术)
中国博士后基金20070411013;江苏省自然科学基金BK2007605;江苏省高校自然科学基金06KJB510077;南京邮电大学博士启动基金NY205051
2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
22-26,43
