10.3969/j.issn.1671-5292.2022.03.005
a-Si:H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池的模拟优化
通过AFORS-HET软件模拟了TCO/a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n)/Ag结构的硅异质结电池中硅衬底电阻率、本征非晶硅薄膜厚度、发射极材料特性以及TCO功函数对电池性能的影响.结果表明:在其它参数不变的条件下,硅衬底电阻率越低,转换效率越高;发射极非晶硅薄膜厚度对短路电流有较大影响,发射极掺杂浓度低于7.0×1019 cm-3时,电池各项性能参数都极差;TCO薄膜功函数应大于5.2 eV,以保证载流子的输运收集.
硅异质结;AFORS-HET;硅衬底;发射极;TCO薄膜
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TK519(特殊热能及其机械)
北京市科技计划课题Z201100004520003
2022-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
313-317
