10.3969/j.issn.1674-3229.2015.05.016
钽掺杂VO2电学性质第一性原理研究
采用第一性原理研究了低温单斜型和高温四方型结构的VO2电子态密度和能带结构.通过分析发现,单斜晶型常温下呈现绝缘体特性,四方晶型高温下呈现金属性;计算了替位掺杂Ta原子的单斜VO2晶体,发现相变温度从68℃下降到50℃.文章计算与实验结果符合,表明第一原理计算能为掺杂改性实验提供有效指导.
VO2、能带结构、掺杂、钽原子
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O641(物理化学（理论化学）、化学物理学)
2015-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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