10.3969/j.issn.1674-3229.2015.01.010
气相法生长ZnO纳米线及其阻变性能研究
利用气相法生长ZnO纳米线,制备基于单根ZnO纳米线的存储器.研究表明,ZnO纳米线～10μm长,直径～50nm粗,呈六角纤锌矿结构,沿<001>方向生长且缺陷较少.基于单根ZnO纳米线的存储器具有明显的双极型阻变存储特征,高低阻态之间的电阻比大于10,两阻态保持时间高于1× 104s,阻值稳定且高低态间的阻值比能够得到保持.进一步研究发现,其低阻态为欧姆传导机制,高阻态为空间电荷限制电流机制(SCLC).
ZnO纳米线、阻变存储器、阻变机理
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O474(半导体物理学)
2015-04-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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