10.3969/j.issn.1001-0076.2004.05.011
掺杂SnO2对NiFe2O4陶瓷电导率的影响
采用冷压-烧结粉末冶金技术制备了NiFe2O4陶瓷,并对其进行SnO2掺杂.对光谱纯石墨和所制备的试样进行的不同温度下电导率测试研究表明:用直流四端电极法改进的高温电导率测试仪测定结果重现性和准确性良好;NiFe2O4陶瓷材料的导电性能随着温度升高而提高,且呈现半导体材料特性;掺杂少量SnO2有利于降低材料的活化能,提高其电导率,而不影响陶瓷基体材料的半导体特性.
电导率、掺杂SnO2、NiFe2O4陶瓷、惰性阳极
O646.542;TF111.522(物理化学（理论化学）、化学物理学)
国家高技术研究发展计划863计划2001AA335013;中南大学校科研和教改项目
2004-12-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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