10.3969/j.issn.1000-4998.2010.12.034
抛光液化学成分对钨化学机械抛光效果的影响研究
化学机械抛光工艺(CMP)能够更好地满足光刻对平坦度的要求,因而被广泛应用于半导体制造工艺中.化学机械抛光液的不同成分将会直接影响到钨的抛光效果,从而影响到超大规模集成电路(ULSI)制备的成品率和可靠性.通过调配不同的氧化剂、蚀刻剂和配位剂组成的抛光液,进行抛光加工实验.当氧化剂和蚀刻剂含量比较低时,随着氧化剂和蚀刻剂的含量增加,抛光效果近似线性的提高,达到一定值以后,随着氧化剂的继续增加,抛光效果反而下降.当氧化剂H2O:的含量为4% ,Fe(N03),浓度为0.05%时抛光效果最佳.使用浓度为20%的2μm的A1_2O,磨粒,抛光最后表面粗糙度R:能达到0.198 nm.
钨、化学机械抛光、抛光效果、化学成分
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TG175;TG702(金属学与热处理)
国家自然科学基金资助项目编号:50705088国家重大科学研究计划课题编号:2006CB932607浙江省自然科学基金资助项目Y1091122
2011-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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