10.3969/j.issn.1004-7530.2018.22.010
硅外延雾状表面形成机制研究
当前,硅外延片作为制备功率MOS等器件的关键支撑材料,对其表面的结晶质量有愈加严格的要求.硅外延片表面一旦存在雾状缺陷也就意味着晶体完整性遭到破坏,后续在器件工艺流片后将直接导致器件漏电大、软击穿,严重影响产出良率.文章通过对表面形貌和微粗糙度的测定,分析了硅外延片出现雾状缺陷的起因,为后续有效防止该现象再生提供了解决思路.
硅外延片、表面缺陷、雾状表面、微粗糙度
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TN305.2(半导体技术)
2018-08-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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