10.3969/j.issn.1000-1158.2011.05.19
气体同位素比值质谱法测定硅同位素丰度比的样品制备方法研究
介绍了气体同位素比值质谱法测定硅同位素丰度比的样品制备方法.采用碱溶法溶解单晶硅样品,经阳离子交换反应、烘干焙烧制得二氧化硅,再用氢氟酸溶解二氧化硅得到氟硅酸溶液,进一步滴加氯化钡溶液生成氟硅酸钡沉淀,将氟硅酸钡热分解最终制得四氟化硅气体.通过优化制备工艺条件,获得了高收率的四氟化硅气体,采用气体同位素比值质谱仪测定四氟化硅气体硅同位素丰度比.测量结果表明,该方法制备出的四氟化硅气体用于硅同位素丰度的测量,具有再现性好,回收率达到了97％以上,能满足准确测量硅摩尔质量的要求.
计量学、硅同位素丰度比、气体同位素比值质谱仪、单晶硅、摩尔质量
32
TB99(计量学)
国家科技部科技支撑计划项目2006BAF06B06
2012-02-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
474-477
