金箔上单层MoS2的控制生长及电催化析氢应用
金属衬底上单层MoS2的可控批量制备是探索其微观形貌、新奇物理化学特性以及潜在应用的重要前提.最近,我们利用低压化学气相沉积的方法,在多晶金箔上实现了高质量、大面积/大批量、畴区尺寸可调(从几百纳米到几十微米)单层MoS2的可控制备;利用低能电子显微/衍射实现了直接生长的单层MoS2畴区取向和畴区边界的原位识别;利用金箔上合成的纳米尺寸MoS2作为电催化析氢反应的催化剂,实现了高效的析氢效果(塔菲尔斜率约61 mV/dec,交换电流密度约38.1 μA/cm2).本文将以这些研究成果为主线,系统地阐述金箔上单层MoS2的可控制备和转移、畴区的原位识别以及在电催化析氢反应中的应用,并对该领域的未来发展趋势和所面临的挑战进行简要的展望.
二硫化钼、金箔、化学气相沉积、可控制备、低能电子衍射、电催化析氢反应
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项目受国家自然科学基金Nos.51222201, 51290272, 51472008, 51072004, 51121091, 51432002和国家重点基础研究发展计划Nos.2011CB921903,2012CB921404, 2012CB933404, 2013CB932603, 2011CB933003资助;Project supported by the National Natural Science Foundation of China Nos.51222201, 51290272, 51472008, 51072004, 51121091, 51432002 and the National Basic Research Program of China Nos.2011CB921903,2012CB921404, 2012CB933404, 2013CB932603, 2011CB933003.
2015-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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