修饰LB膜法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩薄膜
采用修饰Langmuir-Blodget(LB)膜法以二十烷酸(AA)LB膜为模板,通过3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)单体在LB膜亲水基团问聚合,制备了AA/PEDOT复合LB膜.实验分析表明薄膜具有较好的层状有序结构,并进一步研究发现EDOT在AA多层膜中的聚合破坏了原有LB膜的有序性,这与聚合过程对层状结构产生的破坏作用有关;研究了薄膜导电性能,发现AA/PEDOT多层膜的电导率随处理时间的变化产生突变,这与多层膜中导电通道的"渝渗"有关,在有效导电网络连通后电导率发生了突变.测试结果还表明AA/PEDOT膜导电性明显优于PEDOT旋涂膜和十八胺-硬脂酸/聚(3,4)乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺(ODA-SA/PEDOT-PSS)复合膜.
PEDOT、LB膜法、光电性能、测量
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O6(化学)
国家自然科学基金60372002
2010-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
1661-1667
