乙炔和乙烯分子在Ge(001)表面吸附的第一性原理研究
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法和平板模型研究了乙炔和乙烯分子在Ge(001)表面的吸附构型和电子结构.通过系统考察一系列可能存在的吸附方式,结果表明,在0.5 monolayer(ML)覆盖度时,两种分子的di-σ吸附构型最为稳定;在覆盖度为1.0ML时的最稳定吸附方式是paired end-bridge构型.能带结构分析结果可知,吸附构型以及吸附分子的覆盖度均对Ge(001)表面带隙有较大影响,其原因在于费米能级附近的能带主要来自表面二聚体的Ge原子,它们与表面Ge原子的配位环境密切相关,而后者又取决于分子的吸附方式和覆盖度.对于相同的吸附方式,乙烯和乙炔分子具有类似的吸附行为和电子结构.此外,还进一步与Si(001)表面的研究结果进行对比.
密度泛函理论、乙炔分子、乙烯分子、Ge(001)表面、吸附结构、能带结构
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O6(化学)
陕西省自然科学基金SJ08B14;国家自然科学基金20903075;高等学校学科创新引智计划111资助项目B08040
2010-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
1589-1596
