8-羟基喹啉过渡金属配合物电子光谱和二阶非线性光学性质的DFT研究
使用含时密度泛函理论(TDDFT)B3LYP方法计算了IB,IIB,VIIIB过渡金属与8-羟基喹啉络合(MQ)后,配合物的电子光谱以及二阶非线性光学性质.结果表明,掺杂过渡金属后,形成络合物的能隙值减小100～150 kJ/mol,最大吸收波长红移150～200 nm左右.电子从基态到激发态的跃迁主要为π→π*,n→π*,跃迁,属于LLCT,MLCT过程.IB的络合物MQ以及VIIIB的络合物MQ3表现出良好的非线性光学性质.
8-羟基喹啉过渡金属配合物、电子光谱、二阶非线性光学性质、密度泛函理论
67
国家自然科学基金50811140156;四川省教育厅自然科学重点项目N0.07ZA093;四川师范大学科研创新团队基金025156
2009-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
2301-2308
