10.3321/j.issn:0567-7351.2007.14.005
乙炔和乙烯分子在Si(100)表面吸附的几何和电子结构的密度泛函研究
采用基于第一性原理的密度泛函理论和平板模型对Si(100)表面吸附乙炔和乙烯分子的构型稳定性以及电子结构进行系统研究.结果表明:无论是吸附乙炔还是乙烯分子,当覆盖度为0.5 ML时,最为稳定的吸附方式为dimerized模型;当覆盖度增大到1.0 ML时,end-bridge模型为最稳定的吸附方式.通过对各吸附模型的能带结构分析可知,体系的带隙变化可以通过考察表层Si-Si二聚体中Si原子的配位环境来确定.对于相同的吸附模型,无论吸附分子是乙炔还是乙烯,都具有非常相近的带隙.吸附构型以及吸附分子的覆盖度对最小带隙及其来源有较大影响.此外,研究结果还表明,杂化密度泛函方法更适合于描述Si(100)表面的电子结构,尤其是对end-bridge吸附模型.
密度泛函理论、Si(100)表面、乙烯、乙炔、能带结构
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O6(化学)
国家自然科学基金20673019;高等学校博士学科点专项科研项目20060386001;福建省自然科学基金Z0513005;U0650012
2007-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
1305-1312
