10.3321/j.issn:0567-7351.2006.19.006
R2C=GeH2和R2Ge=CH2结构与成键特征的理论研究
用密度泛函理论(DFT),在B3LYP/6-31+G(d,p)水平上研究了取代基对二取代锗烯R2Ge=CH2和R2C=GeH2[R=H,OH,NH2,SH,PH2,F,Cl,Br,(NHCH)2,CH3,(CH)2]的影响.研究发现π供电子取代基在碳上时更能引起分子结构在锗端的锥型化.碳原子上的π电子给予取代基的给电子效应越强,R2C的单-三态能量差越大,π电子的反极化效应就越强,使得化合物的结构在锗端发生的弯曲越明显,从而使得弯曲结构更稳定.和前人的计算相比,碳上的给电子取代基对GeH2结构影响大于它对SiH2的影响.
密度泛函理论、锗烯、反极化效应
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O6(化学)
甘肃省自然科学基金3ZS051-A25-021
2006-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
1974-1980
