理想状态下的透明异质结p-CuSCN/n-ZnO的光电特性研究
本文运用能带理论与载流子扩散模型[1-2]推导出理想状态下p-CuSCN/n-ZnO透明异质结的能带结构及无光照条件下的J-V特性表达式，并以此来对p-CuSCN/n-ZnO的J-V特性曲线进行研究。研究结果表明：CuSCN与ZnO两者的禁带宽度相差较小，这导致理想状态下遵循普通扩散模型和Anderson扩散模型[1]载流子运输机制运动的载流子数量极其有限，ZnO的掺杂浓度会对p-CuSCN/n-ZnO异质结反向饱和电流密度[3]产生影响， p-CuSCN/n-ZnO异质结的内建势垒大小受到两者掺杂浓度的影响。温度的变化会影响p-CuSCN/n-ZnO异质结的反向饱和电流密度[3]的大小，温度和价带带阶的变化都会使得p-CuSCN/n-ZnO异质结的内建势垒产生变化。
硫氰酸亚铜、氧化锌、紫外光、伏安
TN3;P22
国家自然科学基金“基于微观缺陷与核外电子行为研究异质结界面特性对CZTS薄膜太阳能电池光电特性的影响”课题批准号61540071的阶段成果；江苏省自然科学项目“三维极薄吸收层Ti O2/ Cu2ZnSnS,Se4太阳能电池的制备及其性能研究”项目号 BK20141167阶段成果。
2016-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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