10.16568/j.0254-6086.202003013
CFETR水冷陶瓷增殖剂包层中子学分析
基于中国聚变工程实验堆(CFETR)水冷陶瓷增殖剂(WCCB)三维中子学模型,应用蒙特卡罗输运程序MCNP5和IAEA聚变评价核数据库FENDL2.1,完成了WCCB中子学性能分析.研究了在200MW、500MW、1.0GW、1.5GW聚变功率下中子壁载荷(NWL)、氚增殖率(TBR)、核热沉积以及包层材料的辐照损伤.结果显示,目前WCCB包层核分析结果满足CFETR设计要求.
CFETR、水冷包层、中子学计算
40
TL64(受控热核反应（聚变反应理论及实验装置）)
国家重点研发计划2017YFE0300503
2020-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
275-282
