10.3969/j.issn.0254-6086.2010.02.019
脉冲偏压占空比对多孔氧化硅薄膜性质的影响
采用由脉冲负偏压调节的等离子体增强化学气相沉积方法,以硅烷为源气体,在玻璃基片上沉积得到了多孔二氧化硅薄膜.将反应过程中加在沉积区域的脉冲偏压固定在-350V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜样品的形貌、成份和结构均不相同.扫描电镜照片表明,组成多孔氧化硅薄膜的颗粒在占空比增大时变得细腻,并且薄膜整体变得多孔且蓬松.拉曼光谱和红外光谱结果显示,薄膜样品中的非晶硅和Si-H键在较高的占空比下减弱甚至消失.占空比升高时氧化硅桥键所占比例持续增加.
占空比、多孔氧化硅、拉曼光谱、红外光谱
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O539(等离子体物理学)
国家自然科学基金资助项目10775031;中央高校基本科研业务费专项资金资助项目2010A09-4-1
2010-09-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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189-192
