同轴高纯锗探测器探测效率的MCNP模拟与电荷收集时间的计算
高纯锗探测器具有很好的能量分辨率,被认为是核素分析的黄金标准,在很多检测领域成为规定的标准检测设备.在高纯锗探测器的制备过程中,可以采用蒙特卡罗方法对探测器进行模拟,用于确定探测器制备过程中的参数.采用MCNP4软件对同轴高纯锗探测器探测效率进行模拟,研究了不同材质入射窗、不同能量γ射线对高纯锗探测器探测效率的影响,并根据模拟结果选择合适的入射窗材料并确定死层厚度,进而为高纯锗探测器研制提供指导.还对高纯锗探测器晶体的内部电场进行模拟,计算得到能量沉积点的电荷收集时间,通过改变能量沉积点位置,更直观地反映晶体内部不同位置的电荷收集时间.
同轴高纯锗探测器、铍窗、Monte Carlo方法、死层厚度、电荷收集时间
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TL812(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)
2017-10-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
316-320
