10.3969/j.issn.1000-3932.2014.05.017
In2 O3纳米线对 NH3气体响应的优化实验与分析
通过实验对纳米线探测NH3时电导增大这一结论的适用条件进行了补充。研究了传感器响应与纳米线氧空穴掺杂浓度的关系。对比实验结果表明：在检测NH3气体时高掺杂的纳米线电导降低，低掺杂的纳米线电导增大。此外，还观察了纳米传感器暴露在高浓度NH3中产生的“门屏蔽效应”，这是由于NH3分子吸附在In2 O3纳米线上成为电荷陷阱导致的。
In2O3 纳米线传感器、掺杂浓度、门屏蔽效应、电荷陷阱
TQ133.5+3
国家自然科学基金资助项目21373043
2014-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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550-552
