10.3969/j.issn.1000-3932.2014.04.017
提取IGBT模块内部键合引线的寄生参数
基于边界元法提取IGBT封装模块内部键合引线的寄生参数.在Ansofi软件仿真环境中对SKM150GB06 3D型号的IGBT封装模决进行建模,并提取内部键合引线的寄生参数.然后通过6500B精密组抗分析仪对IGBT内部键合引线的寄生参数进行测量验证.通过对比发现:实验数据与仿真数据一致,证明了所提取的寄生参数的有效性;而且封装IGBT模块内部键合引线的的寄生参数比未封装的IGBT模块内部键合引线的寄生参数小很多,说明封装模块的合理布线可以减少噪声的产生,提高了IG-BT的工作性能.
IGBT模块、键合引线、寄生参数、边界元法
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TH866
2014-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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