10.3964/j.issn.1000-0593(2017)06-1946-05
图形化Silicon-on-Insulator衬底上分子束外延生长可动GaN微光栅的研究
GaN材料作为第三代半导体材料,具有宽禁带、直接带隙、耐腐蚀等优点,是一种非常有前景的MOEMS材料.由于GaN的刻蚀目前尚未成熟,因此图形化外延生长法是一种较好的选择.本文基于SOI(silicon-on-insulator)基片,利用硅的微加工技术和图形化GaN分子束外延生长工艺,设计并加工了工作在太赫兹波段的、可以在二维方向上运动的SOI基GaN光栅.光栅周期为16 μm,光栅宽度为6μm,峰值位置为25.901 μm.通过仿真优化,设计的微驱动器在水平电压220 V时,水平方向上的位移为±7.26 μm;垂直方向加200 V电压时,垂直位移2.5 μm.为了研究在图形化SOI衬底上外延生长的InGaN/GaN量子阱薄膜的光学性能,用激光拉曼光谱仪对薄膜进行了光致发光光谱实验.实验结果表明,InGaN/GaN量子阱薄膜具有良好的发光性能,其发光范围为350～500 nm,覆盖了紫外光到黄绿光.由于局域态效应与禁带收缩的作用,随着环境温度由10 K升高至室温,薄膜的PL光谱的峰位呈现“S”形变化趋势.
分子束外延、GaN、图形化SOI衬底、光栅、光致发光
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TH74(仪器、仪表)
国家自然科学基金项目61274121,61574080;江苏省自然科学基金项目BK2012829;南京邮电大学人才引进项目NY212007
2017-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
1946-1950
