10.3964/j.issn.1000-0593(2016)08-2579-06
卤氧化铋与半导体光催化剂偶合研究新进展
两种半导体耦合能够形成异质结而使系统的电荷分离效率得到提高,扩展对光谱吸收范围,以便提高其光催化性能。半导体耦合在制备过程中容易受到制备方法、反应温度等影响,引起耦合半导体晶体结构和表面性质发生变化,从而使得其光催化量子效率增大。主要从以下三个方面进行了论述,(1)卤氧化铋-氧化物偶合体系,将半导体材料与 BiOX 进行复合,能够形成高效异质结型结构能提高光催化降解污染物光催化性能；(2)AgX-BiOX 偶合体系,与纯净的 AgI 或 BiOI 相比,复合光催化材料 AgI／BiOI 在可见光下具有更高的光催化反应活性。(3)卤氧化铋与其它化合物偶合体系,Bi2 S3与 BiOX 进行偶合后,光生电子在两种催化剂中进行迁移,提高了电子与空穴分离效率,因而偶合物的光催化性能得到提高。另外,本文综述了近年来国内外半导体耦合制备方法、影响其光催化性能的因素、提高可见光利用效率的最新研究进展,并提出在半导体耦合研究中所要解决的主要问题及今后努力方向。
卤氧化铋、异质结、光催化、耦合体系
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O643(物理化学（理论化学）、化学物理学)
国家自然科学基金项目21201037;安徽省自然科学基金项目1408085MB35;安徽省高等学校省级自然科学研究重大项目KJ2016SD46;安徽省科技计划项目1606C08227;阜阳师范学院科技成果孵化基金项目2013KJFH01;阜阳师范学院校企合作实践教育基地项目2013SJJD05
2016-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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