10.3964/j.issn.1000-0593(2016)08-2399-06
闪烁体 Y2 SiO5∶Ce 的发光特性
Y2 SiO5∶Ce3+(YSO∶Ce)具有高密度、不吸潮以及良好的光输出和快速衰减的特性,是一种重要的闪烁材料。研究采用高温固相法制备 Y2 SiO5∶Ce3+0.2%(YSO∶Ce)。在低温及室温下,对闪烁体 YSO∶Ce 的时间分辨发射光谱、激发光谱以及衰减曲线进行了测量和分析。YSO∶Ce 主要有两类发射,一是晶体的缺陷发射,发射中心在320 nm；二是掺杂的 Ce3+的5d →4f 发射,发射中心在440 nm。只有当激发能量(E x )大于材料带隙宽度(E g )时才能够激发出晶体缺陷发射,对应慢速的激发发射过程,且低温时发射强度较大,当温度升高时有温度猝灭,在室温下时间分辨发射光谱中几乎观察不到晶体缺陷发射。对于发射中心位于440 nm Ce3+的5d →4f 能级发射,在60~300 nm 范围内能够观察到多个激发峰,其中能量小于材料禁带宽度的激发是属于 Ce3+5d 能级的直接激发带,对应快速的激发发射过程。在低温时能够观测到发光中心位于392和426 nm 分立的发射峰,对应 Ce3+的5d →4f(2 F 5／2,2 F 7／2)的发射。当温度升高到室温时,光谱宽化,无法观测到分立的发射峰。在温度200和300 K 时,当激发光的能量大于带隙宽度,衰减曲线有明显的上升沿,说明有能量传递给 Ce3+。
闪烁体、稀土离子、硅酸钇、发射光谱、激发光谱、光谱特性
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O462(真空电子学（电子物理学）)
国家自然科学基金项目61505175;河北省自然科学基金项目E2013203352
2016-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
2399-2404
