10.3964/j.issn.1000-0593(2015)06-1601-05
YVO4∶Eu纳米荧光材料的合成及其在手印显现中的应用
以聚乙烯亚胺（PEI）为修饰剂，采用水热法合成了荧光强度较高、颗粒粒径较小的YVO4∶Eu纳米荧光材料，并讨论了合成该纳米荧光材料的反应机理。通过透射电子显微镜（T EM ）、X射线衍射（XRD ）、红外光谱（FTIR）、荧光光谱（FS）对纳米荧光材料的粒径形貌、晶体结构、表面官能团、荧光性能进行表征，该纳米荧光材料的粒径尺度约为30 nm、形貌为单分散的球形、晶体结构为四方YVO4晶型、其表面为PEI修饰，在254 nm紫外光的激发下能够发射出较强的红色荧光。将合成的YVO4∶Eu纳米荧光材料应用于常见光滑客体表面汗潜手印的粉末法显现中，并考详细察了手印显现灵敏度、抗背景颜色干扰能力等因素的影响。实验结果显示，经过YVO4∶Eu纳米荧光材料显现的手印在254 nm紫外灯照射下能够发射出明亮的红色荧光，手印纹线清晰连贯、细节特征明显、对比反差强烈、背景干扰较小。与传统的荧光粉末显现法相比，该显现方法具有较高的显现灵敏度和较低的背景干扰。
手印显现、纳米材料、稀土、潜在手印、荧光
O657.3(分析化学)
国家自然科学基金项目21205139;辽宁省高等学校优秀人才支持计划项目LJQ2014130;公安部应用创新计划项目2012YYCXXJXY127;公安部科技强警基础工作专项项目2014GABJC033;东穗科技创新基金项目2014-7
2015-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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