10.3964/j.issn.1000-0593(2012)04-1094-04
化学水浴法和磁控溅射法制备硫化镉薄膜的性能研究
以氯化铵、氯化镉、氢氧化钾和硫脲为反应物采用化学水浴法制备了硫化镉薄膜,为了作对比研究,采用射频磁控溅射以硫化镉为靶材,氩气为溅射气体,制备了硫化镉薄膜.采用X射线衍射、扫描电子显微镜和紫外-可见光光谱仪分别表征了硫化镉薄膜的结构、形貌和光学吸收特性.结果表明,采用以上两种方法制备的硫化镉均具有(002)择优取向,溅射法制备的硫化镉薄膜较致密,薄膜表面较光滑,平均晶粒尺寸在20～30 nm;水浴法制备的硫化镉薄膜颗粒尺寸较小,缺陷较多.除了在短波段溅射所得硫化镉薄膜的透过率略差于水浴法所得硫化镉薄膜之外,溅射法制备的硫化镉薄膜的性能整体上优于水浴法制备的薄膜.两种方法制备的硫化镉薄膜的能隙在2.3～2.5 eV.
硫化镉、薄膜、化学水浴法、溅射
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O484.4+1(固体物理学)
国家科技支撑项目2009BAB49B04;中央高校基本科研业务费项目15050115;高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目21010112
2012-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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