10.3964/j.issn.1000-0593(2010)02-0504-04
倾斜式生长ZnS纳米柱状薄膜及其透射性能的研究
采用倾斜式生长的方法,在本底真空为3×10~(-4) Pa,生长率为0.2 nm·s~(-1)的条件下,通过改变衬底的法线方向与入射粒子流的夹角α,在ITO导电玻璃衬底上制备了ZnS纳米薄膜.在α=80°和85°时,样品的X射线衍射谱证实了不同倾斜角时所制备薄膜中均有纳米ZnS晶体形成,扫描电子显微镜(SEM)图像显示,所形成的薄膜均呈现出了柱状结构,并且倾斜角为85°时所得到的纳米柱直径大于80°时所得结果;在α=0°时,相应测量结果表明,虽然在不同衬底七也形成了纳米ZnS晶体薄膜,但并未见柱状结构,而是形成了一层均匀且致密的薄膜.对两种薄膜结构的生长动力学过程作了分析.ITO衬底上薄膜的透射光谱表明ZnS柱状薄膜能够提高可见光的透过率,因此对柱状ZnS纳米薄膜的研究将有利于提高电致发光器件的发光效率.
倾斜式生长、柱状ZnS纳米薄膜、透射光谱
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O484.4(固体物理学)
国家自然科学基金项目10774013,10804006,10974013,60978060;教育部博士点基金项目20070004024;博士点新教师基金项目20070004031;北京市科技新星计划项目2007A024;国家杰出青年科学基金项目60825407;北京交通大学优秀博士生科技创新基金项目141036522;教育部留学回国科研启动基金项目和高等学校学科创新引智计划项目B08002
2010-04-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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