10.3964/j.issn.1000-0593(2009)11-3134-04
ICP等离子体鞘层附近区域发光光谱特性分析
为了独立控制鞘层附近区域离子密度和离子能最分布,采用光发射谱(OES)测量技术,对不同射频功率、放电气压和基底偏压下感应耦合等离子体鞘层附近区域辉光特性进行了研究.原子谱线和离子谱线特性分析表明,在鞘层附近区域感应耦合等离子体具有较高的离子密度和较低的电子温度.改变放电气压和射频功率,对得到的光谱特性分析表明,鞘层附近区域离子密度随射频功率的增大而线性增大,在低压下随气压的升高而增大.低激发电位原子谱线强度增加迅速,高激发电位原子谱线强度增加缓慢,而离子谱线强度增加很不明显.改变基底直流偏压,对得到的发射光谱强度变化分析表明,谱线强度随基底正偏压的增加而增大.随着基底负偏压的加入,谱线强度先减小而后增大;直流偏压为-30 V时,光谱强度最弱.快速离子和电子是引起Ar激发和电离过程的主要能量来源.
发射光谱、感应耦合等离子体、等离子体鞘层附近区域
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O536(等离子体物理学)
国家自然科学基金项目10575039;高等学校博士学科点专项科研基金项目20040574008
2009-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
3134-3137
