10.3964/j.issn.1000-0593.2007.09.052
Hep-2细胞经X射线照射后其培养基吸收光谱的研究
采用日本岛津UV-3101分光光度计测量了受不同剂量X射线照射后继续培养24,48,72 h的人上皮样喉癌细胞株Hep-2的培养基RPMI1640(10%胎牛血清)的紫外吸收光谱,分析了该培养基中蛋白质的紫外吸收特性.结果发现:不同剂量组培养基的吸收光谱存在明显的差别,RPMI1640培养基(10%胎牛血清)原在233 nm处的吸收峰在受照细胞生长过程中位移至235 nm附近,278 nm处的吸收峰随着细胞培养时间的增加而逐渐变的平滑直至消失;各剂量组细胞培养基吸收光谱强度随时间而增加,在细胞受X射线照射后继续培养24,48 h时各组培养基吸收强度均低于空白对照组,但到了第72 h时均超过了空白组,这反映了该培养基中芳香族氨基酸中各种氨基酸(如色氨酸、酪氨酸、苯丙氨酸)的含量及比例变化,说明癌细胞在生长过程中对芳香族氨基酸的改变不是按等量比的.这些改变与X射线照射引起Hep-2细胞的凋亡及坏死程度有密切的关系,这将为研究人喉癌最佳X射线放射剂量奠定基础.
吸收光谱、培养基、X射线
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O434.1(光学)
河南省科技攻关项目0624410052
2007-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
1869-1872
